HMDS的化学名称为六甲基二硅胺或氮烷, 外观是无色透明液体，无悬浮物及机械杂质。含量(%) :≥ 99.0，密 度(P20),g/cm3 ： 0.774±0.003 ，折光率 (nD25 ) ： 1.408±0.002 ，爆炸下限% :0.8%
HMDS主要用途：
盘尼西林、头孢霉素、氟尿嘧啶及各种青霉素衍生物等
硅藻土、硅石、钛等粉末的表面处理。
半导体工业中光致刻蚀剂的粘结助剂。
下面我们来重点讲下其中一项用途:半导体工业中光致刻蚀剂的粘结助剂。
先大家㊣都知道,在半导体生产工艺中，光刻是集成电◤路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也ω显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏∩合性较差①，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条◆、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。而增黏剂HMDS(六甲基二硅↑氮烷)就可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到︻硅片表面后，经烘箱加温可反应『生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将∑硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用△。
和呈HMDS烘箱的一般工作流程：
先确定烘箱工作温☆度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮ㄨ气，充到达到某低真空度后，再次进行♀抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅ぷ片充分受热，减少硅片表面的水分。然后【再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到∩达设定时间后，停止充入 HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时◤间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。
HMDS与硅片反应机理如图：先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢〗键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个□ 反应持续到空间位阻(三甲基硅△烷基较大)阻止其进一步反应。
